第1364章 膜厚控制(3/4)

首发：~第1364章 膜厚控制

思路很简单：设备硬件做不到零点零二纳米的精度，就在每一层镀膜的过程中用传感器实时采集数据，反馈到算法里，算法即时修正下一步的沉积参数。

等于让一个手抖的人，靠一套自动修正系统，画出一条直线。

八月九号，凌晨两点，补偿参数跑出来了。

小周把参数灌进设备控制系统，重启。

溅射设备嗡嗡响了起来。

钱院士站在无尘室的观察窗外，看着里面。

第一层钼膜，沉积开始。

传感器采集，数据回传，算法修正。第二层硅膜，沉积，采集，修正。

一层钼，一层硅，交替沉积。

EUV反射镜面需要四十对钼硅多层膜——八十层，每层厚度不到七纳米。

八月十号，下午三点，八十层镀完。

小周从无尘室里出来，手里端着一块圆形基片，直径十五厘米，表面泛着金属光泽。

钱院士接过来，放在检测台上。

椭偏仪启动，激光打在镜面上，反射，探测器接收。

数据出来了。

小周看着屏幕，念数：“单层膜厚度误差，零点零三五纳米。”

钱院士没说话。

手册要求零点零二，他们做到了零点零三五。没达标，但比原来的零点零八好了一倍多。

“反射率呢？”

小周切换到下一组数据：“十三点五纳米波长，反射率百分之六十二点三。”

钱院士看着这个数字。

手册上蔡司的指标是百分之六十七，差了不到五个点。

但是，EUV光刻机的最低工作门槛是百分之六十。

他们过线了。

钱院士走到角落，拿起电话。